DG646BH Gate-turn-off DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

DG646BH. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Gate-turn-off
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 2500 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 2500 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 300 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.02 K/W

DG646BH - English Version

Поиск замены для DG646BH

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

DG646BH Datasheet. Страница #1

DG646BH
 datasheet

Страница #2

DG646BH
 datasheet #2

Описание

DG646BH25 Gate Turn-off Thyristor DS4092-5 July 2014 (LN31756) FEATURES KEY PARAMETERS  Double Side Cooling VDRM 2500V  High Reliability In Service IT(AV) 867A  High Voltage Capability ITCM 2500A dVD/dt 1000V/µs  Fault Protection Without Fuses dIT/dt 300A/µs  High Surge Current Capability  Turn-off Capability Allows Reduction in Equipment Size and Weight. Low Noise Emission Reduces Acoustic Cladding Necessary For Environmental Requireme