DG858BW Gate-turn-off DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

DG858BW. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Gate-turn-off
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 4500 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 4000 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 300 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.01 K/W

DG858BW - English Version

Поиск замены для DG858BW

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

DG858BW Datasheet. Страница #1

DG858BW
 datasheet

Страница #2

DG858BW
 datasheet #2

Описание

DG858BW45 DG858BW45 Gate Turn-off Thyristor DS4096-5 July 2014 (LN31733) FEATURES KEY PARAMETERS ITCM 3000A Double Side Cooling VDRM 4500V High Reliability In Service IT(AV) 1180A High Voltage Capability dVD/dt 1000V/µs Fault Protection Without Fuses diT/dt 300A/µs High Surge Current Capability Turn-off Capability Allows Reduction In Equipment Size And Weight. Low Noise Emission Reduces Acoustic Cladding Necessary For Environmental Requirements APPLICATIONS Variab