FS0401BI SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS0401BI. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 10 V/µs
Корпус TO-251

FS0401BI - English Version

Поиск замены для FS0401BI

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS0401BI Datasheet. Страница #1

FS0401BI
 datasheet

Страница #2

FS0401BI
 datasheet #2

Описание

FS04...I SENSITIVE GATE SCR IPAK (Plastic) Gate Trigger Current On-State Current 4 Amp < 200 mA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V K A G These series of Silicon Controlled Rectifier use a high performance PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit A I On-state Current 180º Conduction Angle, Tc = 110