FS0401NI SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS0401NI. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 10 V/µs
Корпус TO-251

FS0401NI - English Version

Поиск замены для FS0401NI

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS0401NI Datasheet. Страница #1

FS0401NI
 datasheet

Страница #2

FS0401NI
 datasheet #2

Описание

FS04...I SENSITIVE GATE SCR IPAK (Plastic) Gate Trigger Current On-State Current 4 Amp < 200 mA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V K A G These series of Silicon Controlled Rectifier use a high performance PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit A I On-state Current 180º Conduction Angle, Tc = 110