FS0402BH SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS0402BH. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 5 V/µs
Корпус TO-220AB

FS0402BH - English Version

Поиск замены для FS0402BH

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS0402BH Datasheet. Страница #1

FS0402BH
 datasheet

Страница #2

FS0402BH
 datasheet #2

Описание

FS04...H SENSITIVE GATE SCR TO-220-AB On-State Current Gate Trigger Current 4 Amp < 200 µA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V K A G These series of Silicon Controlled Rectifier use a high performance PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit IT(RMS) On-state Current 180º Conduction Angle, TC = 110 ºC