FS0802MD SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS0802MD. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 70 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 5 V/µs
Корпус TO-252

FS0802MD - English Version

Поиск замены для FS0802MD

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS0802MD Datasheet. Страница #1

FS0802MD
 datasheet

Страница #2

FS0802MD
 datasheet #2

Описание

FS0802.D SENSITIVE GATE SCR DPAK Gate Trigger Current On-State Current (Plastic) 8 Amp < 200 µΑ Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V K These series of Silicon Controlled A Rectifier use a high performance G PNPN technology. A These parts are intended for general purpose applications where high gate G sensitivity is required. K Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit IT(RMS) On-state Current 180° Conduction Ang