FS0802MI SCR DATASHEET

FS0802MI. Основные параметры

Параметр	Обозначение	Величина	Ед.изм.
Тип		SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии	VDRM	600	V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии	IT(RMS)	8	A
Ударный ток в открытом состоянии	ITSM	70	A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии	dV/dt	5	V/µs
Корпус		TO-251

FS0802MI - English Version

Поиск замены для FS0802MI

Символ		Значение	Ед.Изм.
Тип
PGM	>		W
VDRM	>		V
IT(AVR)	>		A
IT(RMS)	>		A
ITSM	>		A
dI/dt	>		A/µs
dV/dt	>		V/µs
Tstg, Tj	>		°C
RTH(j-a)	<		K/W
RTH(j-c)	<		K/W
VGT	<		V
VTM	<		V
IGT	<		mA
IH	<		mA
Корпус

Поиск

FS0802MI Datasheet. Страница #1

Страница #2

Описание

FS0802.I SENSITIVE GATE SCR IPAK (Plastic) Gate Trigger Current On-State Current 8 Amp < 200 mA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V K A These series of Silicon Controlled G Rectifier use a high performance PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit A I On-state Current 180º Conduction Angle, Tc = 110