FS0802NI SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS0802NI. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 70 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 5 V/µs
Корпус TO-251

FS0802NI - English Version

Поиск замены для FS0802NI

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS0802NI Datasheet. Страница #1

FS0802NI
 datasheet

Страница #2

FS0802NI
 datasheet #2

Описание

FS0802.I SENSITIVE GATE SCR IPAK (Plastic) Gate Trigger Current On-State Current 8 Amp < 200 mA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V K A These series of Silicon Controlled G Rectifier use a high performance PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit A I On-state Current 180º Conduction Angle, Tc = 110