FS0802SI SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS0802SI. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 700 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 70 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 5 V/µs
Корпус TO-251

FS0802SI - English Version

Поиск замены для FS0802SI

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS0802SI Datasheet. Страница #1

FS0802SI
 datasheet

Страница #2

FS0802SI
 datasheet #2

Описание

FS0802.I SENSITIVE GATE SCR IPAK (Plastic) Gate Trigger Current On-State Current 8 Amp < 200 mA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V K A These series of Silicon Controlled G Rectifier use a high performance PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit A I On-state Current 180º Conduction Angle, Tc = 110