FS0808DI SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS0808DI. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 70 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 50 V/µs
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.5 mA
Корпус TO-251

FS0808DI - English Version

Поиск замены для FS0808DI

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS0808DI Datasheet. Страница #1

FS0808DI
 datasheet

Страница #2

FS0808DI
 datasheet #2

Описание

FS08...I STANDARD SCR IPAK (Plastic) On-State Current Gate Trigger Current 8 Amp 0.5 mA to 15 mA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V K A These series of Silicon Controlled G Rectifier use a high performance PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit A I On-state Current 180º Conduction Angle, Tc = 110