FS0809BH SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS0809BH. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 95 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 150 V/µs
Отпирающий постоянный ток управления IGT 4 mA
Корпус TO-220AB

FS0809BH - English Version

Поиск замены для FS0809BH

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS0809BH Datasheet. Страница #1

FS0809BH
 datasheet

Страница #2

FS0809BH
 datasheet #2

Описание

FS0809.H STANDARD SCR T O 2 2 0 - A B On-State Current Gate Trigger Current 8 Amp 2 mA to 15 mA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V These series of Silicon Controlled K A G Rectifier use a high performance PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit IT(RMS) On-state Current 180º Conduction Angle, Tc = 110