FS1009BH SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS1009BH. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 10 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 100 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Отпирающий постоянный ток управления IGT 2 mA
Корпус TO-220AB

FS1009BH - English Version

Поиск замены для FS1009BH

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS1009BH Datasheet. Страница #1

FS1009BH
 datasheet

Страница #2

FS1009BH
 datasheet #2

Описание

FS1009.H STANDARD SCR On-State Current Gate Trigger Current T O 2 2 0 - A B 10 Amp 2 mA to 15 mA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V These series of Silicon Controlled Rectifier use a high performance K A G PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit IT(RMS) On-state Current 180º Conduction Angle, Tc = 11