FS1009BW SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS1009BW. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 10 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 100 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Отпирающий постоянный ток управления IGT 2 mA
Корпус TO-220F

FS1009BW - English Version

Поиск замены для FS1009BW

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS1009BW Datasheet. Страница #1

FS1009BW
 datasheet

Страница #2

FS1009BW
 datasheet #2

Описание

FS1009.W STANDARD SCR TO220-F (FULLY ISOLATED CASE) On-State Current Gate Trigger Current 10 Amp 2 mA to 15 mA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V These series of Silicon Controlled K A Rectifier use a high performance G PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit I On-state Current 180º Conduction Angle,