FS1009DH SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS1009DH. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 10 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 100 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Отпирающий постоянный ток управления IGT 2 mA
Корпус TO-220AB

FS1009DH - English Version

Поиск замены для FS1009DH

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS1009DH Datasheet. Страница #1

FS1009DH
 datasheet

Страница #2

FS1009DH
 datasheet #2

Описание

FS1009.H STANDARD SCR On-State Current Gate Trigger Current T O 2 2 0 - A B 10 Amp 2 mA to 15 mA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V These series of Silicon Controlled Rectifier use a high performance K A G PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit IT(RMS) On-state Current 180º Conduction Angle, Tc = 11