FS1009NH SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS1009NH. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 10 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 100 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Отпирающий постоянный ток управления IGT 2 mA
Корпус TO-220AB

FS1009NH - English Version

Поиск замены для FS1009NH

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS1009NH Datasheet. Страница #1

FS1009NH
 datasheet

Страница #2

FS1009NH
 datasheet #2

Описание

FS1009.H STANDARD SCR On-State Current Gate Trigger Current T O 2 2 0 - A B 10 Amp 2 mA to 15 mA Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V These series of Silicon Controlled Rectifier use a high performance K A G PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit IT(RMS) On-state Current 180º Conduction Angle, Tc = 11