FS2510BG SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS2510BG. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 25 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 300 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 500 V/µs
Отпирающий постоянный ток управления IGT 2 mA
Корпус TO-263

FS2510BG - English Version

Поиск замены для FS2510BG

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS2510BG Datasheet. Страница #1

FS2510BG
 datasheet

Страница #2

FS2510BG
 datasheet #2

Описание

FS2510.G STANDARD SCR D 2 P A K On-State Current Gate Trigger Current 25 Amp 2 mA to 25 mA A A Off-State Voltage 200 V ÷ 800 V A A K K G G These series of Silicon Controlled Rectifier use a high performance PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit IT(RMS) On-state Current 180º Conduction Angle