FS2514BH SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

FS2514BH. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 25 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 250 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Отпирающий постоянный ток управления IGT 4 mA
Корпус TO-220AB

FS2514BH - English Version

Поиск замены для FS2514BH

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

FS2514BH Datasheet. Страница #1

FS2514BH
 datasheet

Страница #2

FS2514BH
 datasheet #2

Описание

FS25...H STANDARD SCR T O 2 2 0 - A B On-State Current Gate Trigger Current 25 Amp 2 mA to 40 mA Off-State Voltage 200 V to 800 V These series of Silicon Controlled K A Rectifier use a high performance G PNPN technology. These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS Value Unit IT(RMS) On-state Current 180º Conduction Angle, Tc = 11