GSC51CT20 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

GSC51CT20. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 50 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 95 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 1200 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.35 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.3 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 100 mA
Ток удержания IH 200 mA
Корпус TO-208AC

GSC51CT20 - English Version

Поиск замены для GSC51CT20

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

GSC51CT20 Datasheet. Страница #1

GSC51CT20
 datasheet

Страница #2

GSC51CT20
 datasheet #2

Описание

GSC51CT20 VRRM = 200 V Silicon Medium Power IF(AV) = 50 A Thyristor DO-208AC Package Features • 200 V VRRM • Superior surge capabilities • Low thermal resistance • Excellent dynamic characteristics • Vacuum welding technology Maximum ratings, at Tc= 94°C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions 51CT20 Unit V VRRM R titi k lt 200 V Repetitive peak reverse voltage 200 V VRSM Non-repetitive peak voltage 300 V IRRM TJ=TJ max Repetitive peak reverse