H50KPN SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

H50KPN. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 1070 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 12000 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.02 K/W
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.9 V

H50KPN - English Version

Поиск замены для H50KPN

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

H50KPN Datasheet. Страница #1

H50KPN
 datasheet

Страница #2

H50KPN
 datasheet #2

Описание

H50KPN PHASE CONTROL THYRISTOR Features  Center amplifying gate  Metal case with ceramic insulator IT(AV) 920 A  Low on-state and switching losses VDRM/VRRM 4500-5500V Typical Applications  AC controllers ITSM 12 kA  DC and AC motor control I2t 703 103A2S  Controlled rectifiers VALUE SYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS Tj(C) UNIT Min Type Max Ths=55C 1070 180 half sine wave 50Hz IT(AV) Mean on-state current 125 A Double side cool