HMM1225 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

HMM1225. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 300 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 0.5 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 0.8 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 30 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 25 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 200 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 100 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус SOT-89

HMM1225 - English Version

Поиск замены для HMM1225

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

HMM1225 Datasheet. Страница #1

HMM1225
 datasheet

Страница #2

HMM1225
 datasheet #2

Описание

Spec. No. : HM200501 HI-SINCERITY Issued Date : 2000.07.01 Revised Date : 2005.07.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HMX1225 / HMM1225 0.8A 300/380 VOLTAGE SCRS IGT<200uA Description The HMX1225/HMM1225 series silicon controlled rectifiers are high performance planner diffused PNPN devices. These parts are intended for low cost high volume applications. SOT-89 Absolute Maximum Ratings (TA=25°C) Parameter Part No. Symbol Min. Max. Unit Test Conditions HMX1225 VDRM 380 - V