HSB100-6 SCR DATASHEET

HSB100-6. Основные параметры

Параметр	Обозначение	Величина	Ед.изм.
Тип		SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии	VDRM	400	V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии	IT(RMS)	0.8	A
Отпирающее постоянное напряжение управления	VGT	0.8	V
Импульсное напряжение в открытом состоянии	VTM	1.7	V
Отпирающий постоянный ток управления	IGT	0.2	mA
Ток удержания	IH	5	mA
Корпус		TO-92

HSB100-6 - English Version

Поиск замены для HSB100-6

Символ		Значение	Ед.Изм.
Тип
PGM	>		W
VDRM	>		V
IT(AVR)	>		A
IT(RMS)	>		A
ITSM	>		A
dI/dt	>		A/µs
dV/dt	>		V/µs
Tstg, Tj	>		°C
RTH(j-a)	<		K/W
RTH(j-c)	<		K/W
VGT	<		V
VTM	<		V
IGT	<		mA
IH	<		mA
Корпус

Поиск

HSB100-6 Datasheet. Страница #1

Страница #2

Описание

HSB100-6 ◎ SEMIHOW REV.A0,Dec 2007 HSB100-6 HSB100-6 Sensitive Gate VDRM = 400V Silicon Controlled Rectifiers IT(RMS) = 0.8A Features • Repetitive Peak Off-State Voltage : 400V • R.M.S On-State Current(IT(RMS)=0.8A) • Low On-State Voltage (1.2V(Typ.)@ ITM) TO-92 General Description PNPN devices designed for high volume, line-powered consumer applications such as relay and lamp drivers, small motor controls, gate drivers for larger thyristors, and sensing and detec