HSB100-8 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

HSB100-8. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 0.8 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-92

HSB100-8 - English Version

Поиск замены для HSB100-8

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

HSB100-8 Datasheet. Страница #1

HSB100-8
 datasheet

Страница #2

HSB100-8
 datasheet #2

Описание

VDRM = 600 V HSB100-8 IT(RMS) = 0.8A Silicon Controlled Rectifier 3.Anode Symbol FEATURES 2.Gate  Repetitive Peak Off-State Voltage: 600V 1.Cathode  R.M.S On-state Current (IT(RMS)=0.8A)  Average On-state Current (IT(AV)=0.5A)  Low On-State Voltage (1.2VTyp@ITM) 1. K 2. G 3. A 3 2 General Description 1 HSB100-8 PNPN Devices designed for high volume, line-powered consumer applications such as relay and lamp driver, small motor controls, g