HSC106M SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

HSC106M. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 3 mA
Корпус TO-225

HSC106M - English Version

Поиск замены для HSC106M

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

HSC106M Datasheet. Страница #1

HSC106M
 datasheet

Страница #2

HSC106M
 datasheet #2

Описание

Dec 2014 VDRM = 400V / 600 V HSC106D/M Silicon Controlled Rectifier IT(RMS) = 4.0A 2.Anode Symbol FEATURES 3.Gate  Repetitive Peak Off-State Voltage (VDRM=400V/600V) 1.Cathode  R.M.S On-State Current (IT(RMS)=4.0A)  Average On-State Current (IT(AV)=2.55A) TO-126 1. K 2. A 3. G General Description 1 2 3 HSC106D/M Glassivated PNPN devices designed for high volume consumer applications such as temperature, light and speed control, process