HST12 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

HST12. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 12 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 120 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 50 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 1.4 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.55 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 25 mA
Ток удержания IH 25 mA
Корпус TO-220AB

HST12 - English Version

Поиск замены для HST12

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

HST12 Datasheet. Страница #1

HST12
 datasheet

Страница #2

HST12
 datasheet #2

Описание

Spec. No. : HE200904 HI-SINCERITY Issued Date : 2009.08.17 Revised Date : MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HST12 TRIAC 600V,12A Description Passivated, sensitive gate triacs in a plastic envelope, intended for use in general purpose bidirectional switching and phase control applications, where high sensitivity is required in all four quadrants. TO-220AB Pin Configuration Pin Description Symbol tab 1 Main terminal 1 T2 T1 2 Main terminal 2 1 2 3 3 Gat