IQCG20S120C3 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

IQCG20S120C3. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 20 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..85 °C
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.3 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 60 mA
Корпус TO-247

IQCG20S120C3 - English Version

Поиск замены для IQCG20S120C3

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

IQCG20S120C3 Datasheet. Страница #1

IQCG20S120C3
 datasheet

Страница #2

IQCG20S120C3
 datasheet #2

Описание

IQCG20S120C3 Silicon Controlled Rectifier, 1200/ 20A In Isolated TO247 Package  Pb-free lead finish; RoHS compliant 1 2 1 2 4 5 4 5 MAXIMUM RATINGS (per SCR), at T = 25oC, unless otherwise specified j Parameter Symbol Value Units Average on-state current I 20 T(AV) T = 85oC, T = 125oC C j A Non-repetitive surge peak on-state current 340 I TSM T = 125oC, t = 10 ms j p I2t value for fusing I2t 574 A2s T = 125oC, t = 10 ms j p Rate of rise of on-state current dI/dt