IQIG35S120C3 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

IQIG35S120C3. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 35 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..79 °C
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.78 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.55 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 62 mA
Корпус SOT-227

IQIG35S120C3 - English Version

Поиск замены для IQIG35S120C3

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

IQIG35S120C3 Datasheet. Страница #1

IQIG35S120C3
 datasheet

Страница #2

IQIG35S120C3
 datasheet #2

Описание

IQIG35S120C3 PRELIMINARY DATASHEET Anti-Parallel Silicon Controlled Rectifier 1 1200V, 35A in SOT227 Package 2 1 3 3  High voltage & high current  Low on-state voltage 4  Suitable for over voltage control, motor control 2 4 circuit and heating control system  Pb-free lead finish; RoHS compliant MAXIMUM RATINGS (per SCR), T = 25oC unless otherwise noted C Parameter Symbol Value Units Average on-state current IT(AV) 35 o TC= 79oC, Tj= 180 C conduction half sine