IXHX40N150V1HV SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

IXHX40N150V1HV. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1500 V
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 7.6 A
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.36 K/W
Корпус TO-247

IXHX40N150V1HV - English Version

Поиск замены для IXHX40N150V1HV

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

IXHX40N150V1HV Datasheet. Страница #1

IXHX40N150V1HV
 datasheet

Страница #2

IXHX40N150V1HV
 datasheet #2

Описание

Preliminary Technical Information VDM = 1500V 1500V MOS Gated IXHX40N150V1HV Thyristor A w/ Anti-Parallel Diode G K TO-247PLUS-HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDM TJ = 25°C to 150°C 1500 V VGK Continuous ±30 V G VGK Transient ±40 V K Tab A ITSM TC = 25°C, 1μs 7.6 kA TC = 25°C, 10μs 3.5 kA PD TC = 25°C 695 W G = Gate K = Cathode A = Anode Tab = Anode TJ -55 ... +150 °C TJM 150 °C Tstg -55 ... +150 °C TL Maximum Lead Temperature for Soldering 300 °