KC3FB40H SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

KC3FB40H. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.2 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 3 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 40 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 50 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 16 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 3 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.4 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.1 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-252

KC3FB40H - English Version

Поиск замены для KC3FB40H

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

KC3FB40H Datasheet. Страница #1

KC3FB40H
 datasheet

Страница #2

KC3FB40H
 datasheet #2

Описание

T yitr h r so S MD ■外観図 OUT IE LN Unt i :mm P cae B akg:F K 3 B 0 C F 4H 40 A 0 V3 ④ 特長 煙小型 SMD 品名略号 KC340H 煙t保証 q 000000 煙高感度品 ロ ト記号 ッ (例) F aue etr 煙S l MD mal S 煙tGurne q aate ① ② ③ ① ②④ 煙Hg esit ihS nivy ti ③ 外形図については新電元 We bサイトをご参照下さい。捺印表示については 捺印仕様をご確認