M40T120A Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

M40T120A. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 40 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 400 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 50 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 50 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.8 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.55 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 50 mA
Ток удержания IH 60 mA

M40T120A - English Version

Поиск замены для M40T120A

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

M40T120A Datasheet. Страница #1

M40T120A datasheet

Страница #2

M40T120A datasheet #2

Описание

RoHS M40T Series RoHS SEMICONDUCTOR TRIACs, 40A Sunbberless FEATURES T2 T1 High current triac G Low thermal resistance with clip bonding Low thermal resistance insulation ceramic for insulated TO-3 package High commutation capability Packages are RoHS compliant APPLICATIONS Due to their clip assembly techinque, they provide a superior performance in surge current handling capabilities. MAIN FEATURES By using an internal ceramic pad, the M40T series provides voltag