MAC212A8 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

MAC212A8. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 20 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 12 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 100 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 100 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2.1 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.9 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.3 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 12 mA
Ток удержания IH 6 mA
Корпус TO-220AB

MAC212A8 - English Version

Поиск замены для MAC212A8

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

MAC212A8 Datasheet. Страница #1

MAC212A8
 datasheet

Страница #2

MAC212A8
 datasheet #2

Описание

MAC212A8, MAC212A10 Preferred Device Triacs Silicon Bidirectional Thyristors Designed primarily for full-wave ac control applications, such as light dimmers, motor controls, heating controls and power supplies; or wherever full-wave silicon gate controlled solid-state devices are http://onsemi.com needed. Triac type thyristors switch from a blocking to a conducting state for either polarity of applied anode voltage with positive or TRIACS negative gate triggering. 12 AMPERES RMS F