MCR100-4 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

MCR100-4. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.01 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 0.8 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 0.8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 10 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 50 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 35 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 200 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-92_SOT-223_SOT-23_SOT-89

MCR100-4 - English Version

Поиск замены для MCR100-4

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

MCR100-4 Datasheet. Страница #1

MCR100-4
 datasheet

Страница #2

MCR100-4
 datasheet #2

Описание

MCR100 Serise 单向可控硅/THYRISTOR 特点:阻断电压高、浪涌电流承受能力强。 Features: High Blocking Voltage、High Surge Current Capability. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 测试条件 参数符号 数值 单位 Test condition Symbol Rating Unit Tj=-40 to 110℃,Sine Wave,50 V DRM V to 60Hz,Gate Open MCR 100-3 100 V RRM MCR 100-4 200 V MCR 100-6 400 MCR 100-8 600 I T(RMS) Tc=80℃ 0.8 A 1/2 Cycle, Sine Wave, I