MCR100-6 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

MCR100-6. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.01 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 0.8 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 0.8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 10 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 50 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 35 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 200 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 75 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.35 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 1 mA
Корпус TO-92_SOT-89

MCR100-6 - English Version

Поиск замены для MCR100-6

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

MCR100-6 Datasheet. Страница #1

MCR100-6
 datasheet

Страница #2

MCR100-6
 datasheet #2

Описание

MCR100 Series Preferred Device Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors PNPN devices designed for high volume, line-powered consumer applications such as relay and lamp drivers, small motor controls, gate drivers for larger thyristors, and sensing and detection circuits. SCRs Supplied in an inexpensive plastic TO-226AA package which is readily adaptable for use in automatic insertion equipment. 0.8 A RMS 100 thru 600 V Features • Sensitive Gate A