MCR100-8 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

MCR100-8. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.01 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 1 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 10 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 50 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 35 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 200 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 50 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.6 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 2 mA
Корпус TO-92_SOT-89_SOT-23

MCR100-8 - English Version

Поиск замены для MCR100-8

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

MCR100-8 Datasheet. Страница #1

MCR100-8
 datasheet

Страница #2

MCR100-8
 datasheet #2

Описание

LITE-ON MCR100-8 SEMICONDUCTOR SCRs Sensitive Gate 0.25 AMPERES RMS Sillicon Controlled Rectifiers 600 VOLTS Reverse Blocking Thyristors SOT-23 FEATURES Sensitive Gate Allows Triggering by Microcontrollers and Other SOT-23 logic Circuits DIM. MIN. MAX. Blocking Voltage to 600 Volts A 0.89 1.20 On–State Current Rating of 0.25 Amperes RMS at 80℃ B 0.30 0.51 High Surge Current Capability — 9 Amperes C 0.085 0.18 Minimum and Maximum Values of IGT,