MCR25N SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

MCR25N. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 25 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 300 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.03 mA
Корпус TO-220

MCR25N - English Version

Поиск замены для MCR25N

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

MCR25N Datasheet. Страница #1

MCR25N
 datasheet

Страница #2

MCR25N
 datasheet #2

Описание

MCR25D, MCR25M, MCR25N Preferred Device Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls, heating controls, and power supplies; or wherever half-wave, silicon gate-controlled devices are needed. http://onsemi.com Features SCRs 25 AMPERES RMS • Blocking Voltage to 800 Volts 400 thru 800 VOLTS • On-State Current Rating of 25 Amperes RMS • High Surge Current Capability - 300 Amperes G