MCR708AT4G SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

MCR708AT4G. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 2.6 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 25 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 100 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 10 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 80 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 3 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 25 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-252

MCR708AT4G - English Version

Поиск замены для MCR708AT4G

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

MCR708AT4G Datasheet. Страница #1

MCR708AT4G
 datasheet

Страница #2

MCR708AT4G
 datasheet #2

Описание

MCR703A Series Preferred Device Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors PNPN devices designed for high volume, low cost consumer applications such as temperature, light and speed control; process and http://onsemi.com remote control; and warning systems where reliability of operation is critical. SCRs Features 4.0 AMPERES RMS • Small Size 100 - 600 VOLTS • Passivated Die Surface for Reliability and Uniformity • Low Level Triggering and Ho