MCR8DCN SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

MCR8DCN. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 80 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.02 mA
Корпус TO-252

MCR8DCN - English Version

Поиск замены для MCR8DCN

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

MCR8DCN Datasheet. Страница #1

MCR8DCN
 datasheet

Страница #2

MCR8DCN
 datasheet #2

Описание

MCR8DCM, MCR8DCN Preferred Device Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed for high volume, low cost, industrial and consumer applications such as motor control; process control; temperature, light and speed control. http://onsemi.com Features SCRs • Small Size 8 AMPERES RMS • Passivated Die for Reliability and Uniformity 600 - 800 VOLTS • Low Level Triggering and Holding Characteristics • Available in Surface Mount Lead Form - Case 369C • Ep