MCR8N SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

MCR8N. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 80 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.02 mA
Корпус TO-220

MCR8N - English Version

Поиск замены для MCR8N

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

MCR8N Datasheet. Страница #1

MCR8N
 datasheet

Страница #2

MCR8N
 datasheet #2

Описание

MCR8N Preferred Device Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls, heating controls, and power supplies; or wherever half-wave, silicon gate-controlled devices are needed. http://onsemi.com Features SCRs • Blocking Voltage of 600 thru 800 Volts 8 AMPERES RMS • On-State Current Rating of 8 Amperes RMS at 80°C 600 thru 800 VOLTS • High Surge Current Capability - 80 Amperes • Ru