MCR8SN SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

MCR8SN. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 80 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1 V
Корпус TO-220

MCR8SN - English Version

Поиск замены для MCR8SN

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

MCR8SN Datasheet. Страница #1

MCR8SN
 datasheet

Страница #2

MCR8SN
 datasheet #2

Описание

MCR8SD, MCR8SM, MCR8SN Preferred Device Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls, heating controls, and power supplies; or wherever http://onsemi.com half-wave, silicon gate-controlled devices are needed. SCRs Features 8 AMPERES RMS • Sensitive Gate Allows Triggering by Microcontrollers and other 400 thru 800 VOLTS Logic Circuits • Blocking Voltage to 800 V G