MCRN100-8 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

MCRN100-8. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 0.8 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -55..150 °C
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус SOT-89

MCRN100-8 - English Version

Поиск замены для MCRN100-8

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

MCRN100-8 Datasheet. Страница #1

MCRN100-8
 datasheet

Страница #2

MCRN100-8
 datasheet #2

Описание

 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Thyristors SOT-89-3L MCRN100- 6,- 8 FEATURES 1.GATE Current-IGT : 200 µA 2.ANODE ITRMS : 0.8 A 3.KATHODE VRRM/ VDRM : MCRN100-6: 400 V MCRN100-8: 600 V Operating and storage junction temperature range TJ,Tstg : -55℃ to +150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Max Unit * On state voltage VTM ITM=1A