MMIX1H60N150V1 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

MMIX1H60N150V1. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1500 V
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 32 A
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.5 K/W

MMIX1H60N150V1 - English Version

Поиск замены для MMIX1H60N150V1

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

MMIX1H60N150V1 Datasheet. Страница #1

MMIX1H60N150V1
 datasheet

Страница #2

MMIX1H60N150V1
 datasheet #2

Описание

Preliminary Technical Information VDM = 1500V 1500V MOS Gated MMIX1H60N150V1 Thyristor A w/ Anti-Parallel Diode A G (Electrically Isolated Tab) G K K Isolated Tab Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDM TJ = 25°C to 150°C 1500 V A VGK Continuous ±30 V VGK Transient ±40 V ITSM TC = 25°C, 1μs 32.0 kA K TC = 25°C, 10μs 11.8 kA PD TC = 25°C 446 W G TJ -55 ... +150 °C TJM 150 °C G = Gate K = Cathode Tstg -55 ... +150 °C A = Anode TL Maximum Lead Temperatur