NTE54004 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE54004. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 40 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1000 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 35 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 55 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 550 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 175 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 500 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.5 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.8 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 40 mA
Ток удержания IH 60 mA
Корпус TO-220

NTE54004 - English Version

Поиск замены для NTE54004

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE54004 Datasheet. Страница #1

NTE54004
 datasheet

Страница #2

NTE54004
 datasheet #2

Описание

NTE54000 thru NTE54004 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 55 Amp, TO220 Description: The NTE54000 thru NTE54004 are half-wave, unidirectional, gate-controlled silicon controlled rectifiers (SCR) packaged in a TO220 type case featuring glass-passivated junctions to ensure long- term reliability and perimeter stability. Features: D High Voltage Capability D High Surge Capability D Glass-Passivated Chip Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C, 60Hz with a resistive load unless otherwis