NTE5406 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5406. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 20 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 0.8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 8 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 5 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..100 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 200 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 5 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.05 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-92

NTE5406 - English Version

Поиск замены для NTE5406

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5406 Datasheet. Страница #1

NTE5406
 datasheet

Страница #2

NTE5406
 datasheet #2

Описание

NTE5400 thru NTE5406 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 0.8 Amp Sensitive Gate, TO92 Description: The NTE5400 through NTE5406 sensitive gate SCR semiconductors are halfwave unidirectional gate controlled rectifiers (SCR-thyristor) rated at 0.8 amps RMS maximum on-state current, with rated voltages up to 600 volts. These devices feature 200 microamp gate sensitivity, 5 millamp holding current and 8 amp surge ca- pabilities. Available in a TO92 plastic package, these devices feature ex