NTE5409 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5409. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 20 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 40 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 5 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..100 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 5 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-205AA

NTE5409 - English Version

Поиск замены для NTE5409

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5409 Datasheet. Страница #1

NTE5409
 datasheet

Страница #2

NTE5409
 datasheet #2

Описание

NTE5408 thru NTE5410 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 3 Amp Sensitive Gate, TO5 Description: The NTE5408 through NTE5410 sensitive gate SCRs are designed to be driven directly with IC and MOS devices. These SCRs feature proprietary, void-free glass-passivated chips and are hermeti- cally sealed in TO5 type packages. These 4A devices are available in voltages up to 600V and with a gate current of 200µA. These NTE SCRs are reverse-blocking triode thyristors and may be switched from o