NTE5416 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5416. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 2.6 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 25 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 10 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 75 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 3 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-225

NTE5416 - English Version

Поиск замены для NTE5416

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5416 Datasheet. Страница #1

NTE5416
 datasheet

Страница #2

NTE5416
 datasheet #2

Описание

NTE5411 thru NTE5416 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp, Sensitive Gate, TO126 Description: The NTE5411 through NTE5416 are PNPN silicon controlled rectifier (SCR) devices designed for high volume consumer applications such as temperature, light, and speed control: process and re- mote control, and warning systems where reliability of operation is important. Features: D Passivated Surface for Reliability and Uniformity D Power Rated at Economical Prices D Practical Level Trigg