NTE5426 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5426. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 16 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 10 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 80 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 8 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..100 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 3 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 3 mA
Корпус TO-220F

NTE5426 - English Version

Поиск замены для NTE5426

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5426 Datasheet. Страница #1

NTE5426
 datasheet

Страница #2

NTE5426
 datasheet #2

Описание

NTE5426 Silicon Controlled Rectifier (SCR) Sensitive Gate, TO220 Isolated Description: The NTE5426 is silicon controlled rectifier (SCR) in an isolated tab TO220 type package. This device may be switched from off-state to conduction by a current pulse applied to the gate terminal and is designed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays. Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak Off-State Voltage (Gate Open, TC = +110°C), VDRM . . . . . . . .