NTE5456 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5456. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 20 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 300 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 20 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 8 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..100 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 5 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.05 mA
Ток удержания IH 3 mA
Корпус TO-202

NTE5456 - English Version

Поиск замены для NTE5456

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5456 Datasheet. Страница #1

NTE5456
 datasheet

Страница #2

NTE5456
 datasheet #2

Описание

NTE5452 thru NTE5458 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate, TO202 Description: The NTE5452 through NTE5458 are sensitive gate 4 Amp SCR’s in a TO202 type package designed to be driven directly with IC and MOS devices. These reverse-blocking triode thyristors may be switched from off-state to conduction by a current pulse applied to the gate terminal. They are de- signed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays. Absolute Ma