NTE5462 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5462. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 16 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 100 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 10 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 100 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 100 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..100 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.9 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 8 mA
Ток удержания IH 10 mA
Корпус TO-220

NTE5462 - English Version

Поиск замены для NTE5462

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5462 Datasheet. Страница #1

NTE5462
 datasheet

Страница #2

NTE5462
 datasheet #2

Описание

NTE5461 thru NTE5468 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp, TO220 Description: The NTE5461 through NTE5468 series silicon controlled rectifiers are designed primarily for half- wave AC control applications such as motor controls, heating controls, and power supplies; or wher- ever half-wave silicon gate-controlled, solid-state devices are needed. These devices are supplied in a TO220 type package. Features; D Glass Passivated Junctions and Center Gate Fire for Greater Parameter U