NTE5480 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5480. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 25 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 100 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 50 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..100 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 50 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 1.5 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.75 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.4 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 10 mA
Ток удержания IH 10 mA
Корпус TO-208AB

NTE5480 - English Version

Поиск замены для NTE5480

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5480 Datasheet. Страница #1

NTE5480
 datasheet

Страница #2

NTE5480
 datasheet #2

Описание

NTE5480 thru NTE5487 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp, TO64 Description: The NTE5480 through NTE5487 are multi-purpose PNPN silicon controlled rectifiers in a TO64 type package suited for industrial and consumer applications. These 8 amp devices are available in volt- ages ranging from 25V to 600V. Features: D Uniform Low-Level Noise-Immune Gate Triggering: IGT = 10mA Typ @ TC = +25°C D Low Forward “ON” Voltage: vT = 1V Typ @ 5A @ +25°C D High Surge-Current Capability: