NTE5494 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5494. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 16 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 25 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 150 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 30 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -65..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.65 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 40 mA
Ток удержания IH 7.3 mA
Корпус TO-208AA

NTE5494 - English Version

Поиск замены для NTE5494

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5494 Datasheet. Страница #1

NTE5494
 datasheet

Страница #2

NTE5494
 datasheet #2

Описание

NTE5491 thru NTE5496 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp, TO48 Description: The NTE5491 through NTE5496 are silicon controlled rectifiers designied primarily for half-wave AC control applications such as motor controls, heating controls, power supplies, or wherever half-wave silicon gate-controlled, solid-state devices are needed. Features: D Glass-Passivated Junctions and Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability D Blocking Voltage to 600 Volts Absolute