NTE5506 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5506. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 300 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 16 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 25 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 200 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 30 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -65..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 1 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.1 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 10 mA
Ток удержания IH 20 mA
Корпус TO-208AA

NTE5506 - English Version

Поиск замены для NTE5506

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5506 Datasheet. Страница #1

NTE5506
 datasheet

Страница #2

NTE5506
 datasheet #2

Описание

NTE5500 thru NTE5509 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 16 Amp, TO48 Description: The NTE5500 thru NTE5509 series of industrial-type silicon controlled rectifiers (SCR) are available in a TO48 style package with a current handling capability to 25 Amps at junction temperatures to +125°C. Absolute Maximum Ratings: (TJ = +125°C unless otherwise specified) Peak Forward Blocking Voltage, VDRM NTE5500 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .